• Kapazitätserhöhung für isostatischen Graphit von 5.000 auf 15.000 t
• Investitionen von ca. 75 Mio. € innerhalb der globalen Wertschöpfungskette
• Neue Presse zur Herstellung großformatiger Teile aus isostatischem Graphit in Bonn

Wiesbaden, 19. August 2010. Die SGL Group – The Carbon Company – wird in den kommenden drei Jahren ca. 75 Mio. € in die Erweiterung der Produktionskapazitäten für isostatischen Graphit investieren, um dem weltweiten Wachstum ihrer Kunden in den Märkten Solarenergie (Photovoltaik), Leuchtdioden (LED) und Halbleiter gerecht zu werden.

Dr. Gerd Wingefeld, Vorstandsmitglied SGL Group: „Mit der Erweiterung unserer Kapazitäten für die Produktion von isostatischem Graphit werden wir unsere starke globale Marktposition weiter ausbauen. Wie schon in der Vergangenheit wird die SGL Group auch künftig die Expansion ihrer Kunden in den Wachstumsmärkten Solarenergie, Halbleiter und LEDs mit den notwendigen Investitionen begleiten.“

Der Bau eines neuen, hochautomatisierten Produktionszentrums für isostatischen Graphit am Standort Bonn ist ein wichtiger Teil der Investition. Die Inbetriebnahme soll 2012 erfolgen. In den kommenden Jahren wird die SGL Group damit ihre weltweiten Kapazitäten für die Herstellung von isostatischem Graphit von 5.000 t auf 15.000 t p.a. erhöhen. Mit der neuen, hochmodernen Presse wird die SGL Group zudem in der Lage sein, der wachsenden Kundennachfrage nach großen Formteilen aus isostatischem Graphit gerecht zu werden.  Weitere Investitionen betreffen die chinesischen Standorte Yangquan (Feedstockfertigung) und Shanghai (Bearbeitung, Reinigung und Beschichtung).

Diese Investition entspricht der Strategie der SGL Group, die Wachstumsmärkte in Asien – hauptsächlich angetrieben durch China, Südkorea, Taiwan und Japan – aus lokaler Produktion zu beliefern. Damit baut die SGL Group ihren globalen Footprint sowie ihre starke technologische Position in diesen schnell wachsenden Märkten weiter aus.

Isostatische Graphitteile der SGL Group werden bei der Herstellung von Silizium für Photovoltaik- und Halbleiterwafer sowie bei der Produktion von Leuchtdiodenscheiben (LEDs) verwendet.