München, 20. April 2006 – Die Infineon Technologies AG wird Samsung, die weltweite Nummer Drei unter den Mobiltelefon-Anbietern, mit dem CMOS-Single-Chip Radio Frequency (RF) -Transceiver SMARTi PM beliefern. Samsung will den Chip in neuen EDGE-Mobiltelefonen einsetzen, die in der zweiten Hälfte des Jahres 2006 auf den Markt kommen. Mit SMARTi PM benötigt der komplette Funkteil eines GPRS/EDGE-Mobiltelefons im Vergleich zu Lösungen von Mitbewerbern 50 Prozent weniger Platz und 30 Prozent weniger Bauelemente.

 

Im Jahr 2005 hat Infineon Technologies mehr als 200 Millionen RF-Chips für Mobilgeräte verkauft. Damit ist das Unternehmen unumstritten der führende Anbieter von Halbleitern dieses Typs. Samsung konnte im Jahr 2005 insgesamt 103 Millionen Telefone absetzen – davon 76 Millionen für GSM-Netze – und ist damit nach Angaben des Marktforschungsunternehmens Strategy Analytics die Nummer Drei im globalen Mobiltelefongeschäft.

 

Laut Chris Taylor, Director RF und Wireless Components beim Marktforschungsunternehmen Strategy Analytics, wird sich der Markt für EDGE-Handys mit einer jährlichen Wachstumsrate von 15 Prozent von 160 Millionen Einheiten im Jahr 2006 auf über 320 Millionen im Jahr 2010 verdoppeln.

 

„Mit dem SMARTi PM, der in 130 nm-CMOS-Technologie produziert wird, ist Infineon zum Top-Anbieter von EDGE-Transceivern avanciert“, sagte Chris Taylor. „Damit ist das Unternehmen seinen schärfsten EDGE-Konkurrenten um etwa sechs Monate

voraus.“

 

„Die Entscheidung von Samsung zugunsten unseres innovativen, integrierten Transceivers für GSM/GPRS/EDGE-Mobiltelefone ist ein sehr wichtiger Meilenstein im Rollout unserer neuen Linie von RF-Transceivern in CMOS-Technologie, von der wir uns erhebliche Wettbewerbsvorteile erwarten“, kommentierte Stefan Wolff, Leiter des Geschäftsfeldes RF Engine bei Infineon. „Infineon ermöglicht den Mobiltelefonherstellern die Entwicklung immer kleinerer Telefone mit zusätzlichen Leistungsmerkmalen und größerer Funktionalität. Die erfolgreiche Markteinführung des SMARTi PM bestätigt unsere Führungsposition bei RF-Transceivern.”

 

Der SMARTi PM wird in Infineons 130 nm-CMOS-Prozess gefertigt und misst gerade mal 5,5 mm x 6,5 mm. Der Chip hat eine Standard-I/Q-Schnittstelle und kann so mit EDGE-Basisband-Chips der etablierten Hersteller kombiniert werden. Die einfach zu programmierende Single-Chip-Lösung bietet erhebliche Vorteile in der Massenproduktion und ermöglicht den Telefonherstellern die schnelle Markteinführung verschiedener Designs, die auf ein und derselben Plattform beruhen.

 

Die innovative Architektur des SMARTi PM basiert auf Kleinsignal-Polarmodulation und benötigt nur einen einfachen Leistungsverstärker, wie er von vielen Herstellern angeboten wird. Dadurch werden Isolatoren oder zusätzliche Filterkomponenten im Sendepfad überflüssig. Der SMARTi PM (PMB 6272) ist ein Quad-Band-Single-Chip-CMOS-Transceiver für Sprach- und High-Performance-Daten-Anwendungen in GSM/GPRS/EDGE 850/900/1800/1900-Netzen.