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Infineon Technologies AG
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Pressemitteilung vom 23.08.2005
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Alle Schlüsselkomponenten für DDR2-FB-DIMMs aus einer Hand: Infineon liefert Module und zentralen AMB Chip für die nächste Server-Speichergeneration München und San Francisco 23. August 2005 – Auf dem Intel Developer Forum (IDF) in San Francisco kündigte Infineon Technologies DDR2-FB-DIMM (Double Data Rate 2, Fully Buffered Dual-In-line Memory Modules)-Muster mit Kapazitäten von 512 MByte bis zu 4 GByte an. Infineon entwickelt und fertigt als industrieweit erster DRAM-Hersteller alle Schlüsselkomponenten für die neue Generation von Server-Speichermodulen: neben den DDR2-DRAM-Chips liefert Infineon auch den AMB (Advanced Memory Buffer) Chip und den entsprechenden Kühlkörper (Heat-Sink). Darüber hinaus bietet Infineon den AMB Logik-Chip auch anderen FB-DIMM-Herstellern an und hat bereits Muster an erste Kunden ausgeliefert. „Für die optimale Fertigung der neuen Module sind drei Faktoren entscheidend: schnelle DDR2-DRAM mit hoher Speicherdichte, der AMB Chip und eine optimierte Kühlung zur Abfuhr der thermischen Last, die durch die Kombination der hohen Speicherdichte und dem schnellen AMB Chip gegeben ist“, sagte Michael Buckermann, Leiter der Business Unit Computing des Geschäftsbereiches Speicherprodukte von Infineon. „Die komplette Kontrolle über den Herstellungsprozess von Komponenten und Modulen durch Infineon bietet Server-Herstellern ein Höchstmass an Qualität und eine reibungslose Implementierung der optimal abgestimmtem FB-DIMMs, die ab 2006 herkömmliche Registered DIMMs in leistungsfähigen Servern ersetzen werden.“ Mit FB-DIMMs ändert sich die bisherige parallele Architektur der Registered DIMMs in eine serielle Punkt-zu-Punkt-Verbindung. Damit wird der Engpass beim Durchsatz, bedingt durch steigende Komplexitäten und Geschwindigkeiten der nächsten Generation der Server-Speichermodule beseitigt. Infineon entwickelt und fertigt den AMB Chip, einen äußerst komplexen Logik-Chip für die Steuerung dieser Punkt-zu-Punkt-Verbindung. Der Chip bietet eine Datenrate von 4,8 Gbit/s für die schnelle Verbindung zu den DDR2-DRAMs, die selbst Geschwindigkeiten von bis zu 800 Mbit/s bei der ersten Generation aufweisen. Neben der Nutzung bei den eigenen Modulen, liefert Infineon den AMB Chip auch an andere FB-DIMM-Hersteller und unterstützt damit die Marktdurchdringung der neuen Server-Speichergeneration. Als Vorreiter bei der FB-DIMM-Entwicklung stellte Infineon im August 2004 den ersten AMB-Testchip vor und demonstrierte den erfolgreichen Systemeinsatz auf einer DDR2-Plattform während des IDF im Februar 2005. Die derzeitige FB-DIMM-Gene-ration setzt DDR2-DRAMs mit Geschwindigkeiten von 533 und 667 Mbit/s ein - Versionen mit 800 Mbit/s werden folgen. Nach einer aktuellen Marktstudie von iSuppli soll der Marktanteil von FB-DIMMs von 16 Prozent bzw. 4,2 Millionen Einheiten in 2006 auf 79 Prozent in 2008 ansteigen. Muster der FB-DIMMs mit Komplexitäten von 512 MByte, 1, 2 und 4 GByte auf Basis von 512-Mbit und 1-Gbit-DDR2-Chips (DDR2 533 und DDR2 667) sind verfügbar. Die Serienfertigung ist für das vierte Quartal 2005 geplant. Der AMB Chip von Infineon mit einer Datenrate von bis zu 4,8 Gbit/s wird in einem 665-Ball-Flip-Chip-BGA geliefert und ist ebenfalls in Mustern verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter: http://www.infineon.com/memory/fbdimm |
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