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Infineon Technologies AG

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Pressemitteilung vom 28.06.2004

Infineon stellt neue Generation seiner GOLDMOS®-Technologie für HF-Leistungstransistoren in Applikationen mit hohen Linearitäts-Anforderungen vor
München, 28. Juni 2004 – Infineon Technologies AG stellt die nächste Generation seiner GOLDMOS®-Technologie vor. Diese LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor)-Chip-Technologie für leistungsfähige HF-Power-Transistoren ermöglicht die Entwicklung von äußerst zuverlässigen und preiswerten Linear-Verstärkerschaltungen. Neben der ausgezeichneten Linearität, der sehr hohen Bandbreite und dem verringerten „Memory-Effekt“ bieten die neuen GOLDMOS HF-Leistungstransistoren auch das industrieweit beste thermische Verhalten. Die GOLDMOS-Transistoren werden in Basisstationsverstärkern für UMTS/WCDMA, GSM, CDMA, EDGE, TDSCDMA, PCS/DCS, MMDS sowie in TV- und DAB-Produkten eingesetzt.

Mit der neuen GOLDMOS-Technologie definiert Infineon auf der Basis fortschrittlichster LDMOS-Wafer-Prozesse für HF-Leistungstransistoren neue Performance-Maßstäbe für künftige drahtlose Netzwerke. Infineon setzt dabei weiter auf die Gold-Metallisierung, mit bewährter Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen. In Kombination mit der großen Expertise bei der Gehäusetechnik und bei der Halbleiterentwicklung ermöglicht Infineons neue Prozesstechnologie HF-Leistungstransistoren, die neue Standards bei der Leistungsfähigkeit setzen.

„Unsere Entwickler-Teams habe diese neue Silizium- und Gehäuse-Technologie mit den besten Leistungsmerkmalen der Industrie in weniger als einem Jahr realisiert“, sagte Johan Tingsborg, Leiter des Geschäftsgebiets Wireless Infrastrukture im Bereich Secure Mobile Solutions von Infineon. „Dies demonstriert eindrucksvoll den hohen Stellenwert, den Infineon dem Markt für drahtlose Infrastrukturen beimisst. Wir werden unsere Anstrengungen weiter verstärken, damit unsere Kunden die Anforderungen an das HF-Power-Management in künftigen drahtlosen Netzwerken erfüllen können.“

Hintergrundinformationen zu den GOLDMOS High-Power-HF-Transistoren
Die neuen GOLDMOS HF-Leistungstransistoren von Infineon bieten eine unerreichte lineare Betriebseffizienz. Die Verbesserung gegenüber der vorherigen Generation beträgt ungefähr 10 Prozent. Weitere herausragende Merkmale sind die extrem hohe Bandbreite, der reduzierte Memory-Effekt und das industrieweit beste thermische Verhalten. Eines der ersten Produkte auf Basis der neuen Technologie ist beispielsweise ein Single-ended-100-Watt-Baustein (PTFA211001E) für 2,1 GHz. Der Chip bietet im 2-Carrier-WCDMA-3GPP-Mode eine durchschnittliche Ausgangsleistung von 22 Watt, einen Verstärkungsfaktor von 16,5 dB und eine 30-prozentige Betriebseffizienz. Weitere Merkmale sind eine extrem hohe Bandbreite von einigen Hundert MHz, eine IM3 (Intermodulation 3ter Ordnung)-Verzerrung von -37dBc und ein Wärmewiderstand von nur 0,38° C/W.

Mit einer um 30 Prozent höheren Leistungsdichte und höheren Ein- und Ausgangsimpedanzen im Vergleich zur Vorgängergeneration bringt Infineon eine Familie von Leistungstransistoren auf den Markt, die auf die Anforderungen der fortschrittlichsten Verstärker-Applikationen zielt. Diese Verstärker erfordern hohe Leistungen (Peak-to-Average) über große Bandbreiten. Die thermische Leistungsfähigkeit der GOLDMOS-Transistoren wurde gegenüber der Vorgängergeneration nochmals deutlich verbessert. Mit den niedrigsten Sperrschicht-Temperaturen im Vergleich zu anderen auf dem Markt verfügbaren Leistungstransistoren bietet Infineon die industrieweit zuverlässigsten Bauelemente.

Verfügbarkeit
Erste GOLDMOS-Produktmuster werden ab dem 3. Quartal 2004 verfügbar sein. Beginn der Serienproduktion ist 4. Quartal 2004.

Weitere Informationen über die HF-Leistungsprodukte von Infineon sind erhältlich unter: http://www.infineon.com/wireless

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