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Pressemitteilung vom 22.06.2004
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Infineon und IBM präsentieren weltweit ersten 16-Mbit-MRAM - Innovatives Chipdesign ermöglicht derzeit höchste Speicherdichte München, 22. Juni 2004 – Infineon Technologies AG und IBM präsentieren den weltweit ersten 16-Mbit-MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory). Dieser neue nichtflüchtige MRAM-Speicherchip weist die derzeit höchste Speicherdichte für diese Technologie auf und zeigt, dass MRAM das Potenzial hat, ein universeller Speicher für leistungsfähige Computer und mobile Applikationen zu werden. Die steigende Anzahl mobiler Applikationen wie Smart-Phones und Notebooks mit zusätzlichen Multimediafunktionen erfordert fortschrittlichere Speicherchips. MRAM ist ein vielversprechender Kandidat für einen Universalspeicher in hochleistungsfähigen und mobilen Computern, da er schneller ist und weniger Leistung verbraucht als bestehende Technologien. „Mit der Demonstration des 16-Mbit-MRAMs unterstreichen wir wieder einmal unsere führende Position bei innovativen nichtflüchtigen Technologien“, sagte Dr. Wilhelm Beinvogl, Chief Technology Officer des Geschäftsbereichs Speicherprodukte bei Infineon Technologies. „Die heutige Ankündigung ist ein bedeutender Durchbruch in der Entwicklung dieser neuen Speichertechnologie.“ Die Zeit, die benötigt wird, um das erste Informations-Bit in den MRAM-Chip zu schreiben, ist etwa eine Million mal schneller als die Zeit, die bei einem Flash-Speicherchip erforderlich ist. Die Zeit, die notwendig ist, um das erste Bit aus dem MRAM auszulesen, ist etwa um den Faktor drei schneller als bei einem NOR-Flash-Chip und ungefähr 1.000-mal schneller als bei einem NAND-Flash-Chip. Zudem verbraucht der MRAM im Vergleich zur DRAM-Technologie weniger Strom. „Fortschritte bei Hochleistungscomputern haben den Bedarf an innovativeren, leistungsfähigeren und vielseitigeren Speichertechnologien steigen lassen“, sagte Dr. T. C. Chen, Vice President Science and Technology, IBM Research. „IBM ist stets auf der Suche nach neuen Wegen, um die Performance von Servern zu verbessern und MRAM könnte sich hierfür als leistungsfähige Komponente erweisen.“ Die Produktdemonstration des 16-Mbit-MRAMs wurde auf Basis einer 0,18-µm-Logik-Prozesstechnologie realisiert. Sie verwendet 1-Transistor-1-Magnetic-Tunnel-Junction-(1T1MTJ)Zellen und verfügt über eine SRAM-ähnliche Schnittstelle. Diese ist in mobilen und tragbaren Anwendungen weit verbreitet und ideal geeignet für den Betrieb des MRAM-Cores. Der Chip arbeitet mit Zugriffs- und Zykluszeiten von 30 ns bis 40 ns. Im Vergleich zu den bisher angekündigten Multi-Mbit-MRAMs zeichnet sich der neue MRAM-Chip von Infineon durch die höchste Speicherkapazität (16 Mbit) und eine Zellengröße von nur 1,42 µm2 aus. Das einzigartige Multi-Mbit-MRAM-Design verwendet auch eine neue “bootstrapped“ Treiberschaltung zum Schreiben der Daten und mehrere Designmerkmale zur Reduzierung des Standby-Stroms. Das innovative Chipdesign basiert auf einer 1T1MTJ-MRAM-Zelle mit drei Metalllagen: “Ground Mesh“, “Write Word Line“ (WWL) und “Bit Line“ (BL). Nur drei MRAM-spezifische Level (VA, MA, MTJ) sind über die CMOS-Basis-Technologie mit drei Kupferlagen hinaus erforderlich. Das niederohmige Ground-Mesh erlaubt große ununterbrochene Arrays. Der Chip besteht aus zwei 8-Mbit-Einheiten, die jeweils in 64 128-Kbit-Blöcke aufgeteilt sind. Jeder 128-Kbit-Block enthält ein einzelnes Array und damit verbundene Schaltungen. |
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