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Pressemitteilung vom 17.09.2003
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Infineon liefert weltweit kleinste 512-Mbit-DDR2-Speicherchips an Intel Infineon liefert weltweit kleinste 512-Mbit-DDR2-Speicherchips an Intel: Die DDR2-Speichertechnologie von Infineon 'bootet' erfolgreich mit dem neuen 'Lindenhurst' Dual-Prozessor-Server-Chipsatz von Intel
2003-09-17
München und San Jose/USA, 17. September 2003 – Infineon Technologies gab heute auf dem Intel Developer Forum bekannt, dass sein 512-Megabit-DDR2 (zweite Double-Data-Rate-Generation)-SDRAM den Boot-Prozess des Dual-Prozessor-Server-Chipsatzes „Lindenhurst“ von Intel unterstützt. Die 512-Mbit-DDR2-SDRAM-Chips von Infineon in der Organisation x8 sind kompatibel mit der DDR2-Spezifika-tion von JEDEC und werden nun von Intel evaluiert.
Die DDR-Chips wurden für die nächste Generation hochleistungsfähiger Arbeits-speicher für Server-, PC- und Workstation-Anwendungen entwickelt. Die 512-Mbit-DDR2-Chips basieren auf Infineons modernster 110-nm-CMOS-Prozesstechnologie. Daraus resultiert der geringste Leistungsverbrauch und die kleinste Chipfläche aller vergleichbarer Speicher-ICs. Die jetzt verfügbaren DDR2-Chips von Infineon arbeiten mit Datenübertragungsraten von 400 Mbit/s und 533 Mbit/s. Noch schnellere Chips und Speichermodule, die ab 2004 in Systemen mit DDR2-Arbeitsspeicher eingesetzt werden sollen, sind bereits in Planung. Für 2004 sieht Infineons DDR2-Roadmap auch 256-Mbit- und 1-Gigabit-Chips vor. „Mit der DDR2-Speichertechnologie von Infineon werden Intel-basierte Desktop-Computer, Server und mobile Rechnerplattformen ab 2004 eine höhere Performance aufweisen, weniger Strom brauchen und über eine gesteigerte Speicherkapazität verfügen“, prognostiziert Pete MacWilliams, Senior Fellow, Intel Corporation. „Ich gehe davon aus, dass die DDR2-Technologie über einige Jahre lang die bevorzugte Speicherarchitektur sein wird.“ „Die auf DDR2-533 basierenden Speichermodule werden Datenübertragungsraten von 4,3 GByte/s erreichen und Systemen mit herkömmlichen, branchenüblichen Speicherarchitekturen zu einer außergewöhnlichen Performance verhelfen,” erläutert Bernd Lienhard, Vice President Memory Products bei Infineon Technologies North America. „Als führender Speicheranbieter und Vorreiter beim Übergang der Industrie zu kosteneffektiven Großserienproduktion auf 300-mm-Wafern, sind wir stolz darauf gemeinsam mit Intel dem Computeranwender Spitzentechnologie für die nächste Stufe im Systemdesign anbieten zu können.” Die JEDEC-kompatiblen 512-Mbit-DDR2-Chips von Infineon sind als DRAMs mit vier Speicherbänken konfiguriert. Sie sind in den Organisationen x4, x8 und x16 verfügbar und werden in Fine Pitch Ball Grid Array (FBGA)-Gehäusen angeboten. Weitere Merkmale des neuen Speichers sind unter anderem eine Pre-fetch-Größe von 4 Bits, ein differentieller Strobe und ein variabler Impedanz-Abgleich für den Datenausgang. |
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