Neues AIXTRON MOCVD-Technologiezentrum unterstützt Chinas weltweite LED-Pläne
AIXTRON eröffnet Trainings- und Demonstrationslabor in Suzhou
Aachen, Deutschland/Suzhou, China. 16. März 2012 - Im Rahmen einer feierlichen Zeremonie ist heute das neue Trainings- und Demonstrationszentrum der AIXTRON SE (FWB: AIXA; NASDAQ: AIXG) in den Räumlichkeiten von SINANO - dem Suzhou Institut für Nanotechnologie und -bionik - eröffnet worden. Ein Vertreter der National Development and Reform Commission (NDRC), der deutsche Generalkonsul in China, zahlreiche von AIXTRONs Schlüsselkunden sowie Kooperationspartner führender Universitäten und Forschungsinstitute in Greater China nahmen an den Feierlichkeiten im chinesischen Suzhou teil.
Im Suzhou Industrial Park (SIP) im Yangtze-Flussdelta - einem der einflussreichsten Wirtschaftsstandorte Chinas - werden die künftigen MOCVD-Experten Chinas in den neuesten Technologien und Herstellungsverfahren der Halbleitertechnik geschult. Hohe Ausbildungsstandards sind garantiert, denn das Zentrum nutzt die Synergieeffekte der einzigartigen Verbindung von industrieller und institutioneller Forschung.
'Um das Ziel Chinas zu erreichen, die Spitzenposition im weltweiten LED-Markt einzunehmen, müssen in China hergestellte LED-Produkte führend in Lichtqualität, Effizienz und Wirtschaftlichkeit sein.' Ich bin überzeugt, dass diese Kooperation wesentlich dazu beitragen wird', so ein Sprecher von SINANO. 'Eines unserer Hauptanliegen ist es daher, chinesischen Kunden im neuen Zentrum die erforderliche Wissenstiefe im Bereich der Prozesstechnologie zu vermitteln, die sie zur Optimierung ihrer Bauelemente benötigen.'
China habe weltweit inzwischen eine wichtige Rolle im LED-Beleuchtungsmarkt eingenommen, indem das Land LED-Anwendungen national wie international flächendeckend vorantreibe, so Paul Hyland, Präsident und Vorstandsvorsitzender von AIXTRON, in seiner Rede. 'Im neuen Zentrum werden wir in der Lage sein, die technologischen Entwicklungen unserer Kunden proaktiv mit den neuesten marktführenden Technologien und mit exklusiver Trainingsexpertise zu unterstützen - nicht nur bei der Herstellung von LEDs, sondern auch in anderen Bereichen der Nanotechnologie, wie z.B. GaN-auf-Si. Im Rahmen der Kooperation mit SINANO wird die vollständige Prozessierung und Charakterisierung von LEDs möglich sein, deren lichttechnische Eigenschaften für die Qualität der Leuchtmittel maßgebend sind.'
Die Trainingseinheiten finden an AIXTRONs neuesten Anlagengenerationen CRIUS(R) II-XL und AIX G5 HT auf einer Gesamtfläche von 350 qm unter Reinraumbedingungen in Laboren, Schulungs- und Trainingsräumen statt. 'Wir konzentrieren uns auf die entscheidenden Einflussgrößen im Herstellungsprozess, mit denen Betreiber von MOCVD-Anlagen maximale Betriebszeiten und höhere Erträge erzielen und dabei ihre Betriebskosten senken - von effizienten Bedienungs- und Wartungsabläufen, der Prozessoptimierung bis hin zum Fab-Management', kündigte Dr. Nicolas Müsgens, Director Training & Demonstration Center AIXTRON, an.
'In Suzhou bieten wir intensive, wissenschaftlich fundierte Praxistrainings in kleinen Gruppen durch AIXTRONs hochqualifizierte, erfahrene Ingenieure an.'
AIXTRON liefert Schlüsseltechnologien für innovative und energiesparende Anwendungen. Das Unternehmen verfügt über mehr als 30-jährige Expertise in der Entwicklung von MOCVD-Herstellungstechnologien für ein breites Spektrum innovativer, komplexer Bauelemente auf Halbleiterbasis, wie LEDs, Laser, Transistoren und Solarzellen.
Neben der Anwendung von Best-Practice-Modellen unter Wirtschaftlichkeitsaspekten wird das neue Schulungszentrum in Suzhou besonderes Augenmerk auf Arbeitssicherheit und Umweltschutz durch die Einhaltung deutscher, internationaler und chinesischer Standards der Produktsicherheit und des Abfallmanagements legen.
Anmeldungen zum Training können auf www.aixtron.com/Service/Schulung vorgenommen werden.
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6, DE000A1MMEF7; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter http://www.aixtron.com verfügbar.
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